我們認(rèn)為過氧缺陷的產(chǎn)生，是硅酸鋁中的過氧化焙燒形成的綜合反應(yīng)而導(dǎo)致。而且，我們認(rèn)為過氧缺陷在沸石的催化反應(yīng)過程中起著關(guān)鍵作用。 我們分析的起點是水與硅氧烷的反應(yīng)，它已廣泛用于的其他的環(huán)境中,特別是石英、硅系統(tǒng)和那些可能會產(chǎn)生兩個相鄰的羥基（或硅氧橋缺陷附近)的反應(yīng)：
我們可以通過不同的合成方法或后期處理形式來改變沸石的 結(jié)構(gòu)。同時，這也有助于解釋與沸石相關(guān)的實驗數(shù)據(jù)。事實上，它已經(jīng)在18 O(氧18)標(biāo)記的離子交換、紅外光譜、核磁共振實驗中得到了有力的證明：當(dāng)對沸石分子篩HZSM-5和發(fā)光沸石進(jìn)行脫鋁處理時，其中的羥基巢缺陷濃度上升；而對它們進(jìn)行鋁化處理時，硅酸鋁中的這些缺陷就會又逐漸消失。在Na和質(zhì)子的交換實驗以及用對苯二甲酸處理后的沸石分子篩模版ZSM-5的核磁共振實驗中，我們發(fā)現(xiàn)，高濃度缺陷總是出現(xiàn)在兩個相鄰的硅羥基（或者乙基烷基）。
在一份硅質(zhì)材料的光 學(xué)實驗報告 （熱變形光學(xué)拷貝）中，筆者發(fā)現(xiàn)在劇烈的吸附發(fā)生時，有能量直接從吸附處轉(zhuǎn)移到缺陷處，因此筆者認(rèn)為缺陷的濃度可以定義為每單位晶胞的缺陷；缺陷點處的光學(xué)吸收為293和283nm，通過與以往報告的數(shù)據(jù)對比可發(fā)現(xiàn)，缺陷位置是過氧橋或過氧自由基。根據(jù)電子順磁共振數(shù)據(jù)，我們也可以對在 Bronsted點或附近生成二氧化物是否影響沸石中的劉易斯和氧化還原環(huán)境進(jìn)行 討論 ，但是，目前還沒有一個與之相關(guān)的先進(jìn)結(jié)構(gòu)假設(shè)理論。硅酸鋁中的缺陷結(jié)構(gòu)在控制沸石催化劑反應(yīng)中起著至關(guān)重要的作用。的確，質(zhì)子酸位的傳統(tǒng)模型，通常被看作是酸催化活性中心所在的位置。在這些被看作是酸催化活性中心部位的這些系統(tǒng),包含一個簡單的橋氧網(wǎng)絡(luò)點缺陷綜合體，并且缺陷的位置在被鋁原子所取代的硅原子處,如圖1所示?！傍B巢”(或水榴石)缺陷,如圖2所示,它實質(zhì)上是一種水解硅空缺。
目前的研究表明：水解硅空缺缺陷大量存在于沸石中(以及很多其它硅酸鹽系統(tǒng))。事實上,若采用postsyn-thetic的工藝條件合成沸石催化劑，將會產(chǎn)生大范圍的復(fù)雜缺陷結(jié)構(gòu)。
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